特許

J-GLOBAL ID：200903019556104679

集積回路用絶縁体とその製造方法

発明者： スティーヴン・アラン・コーエン ,  ヴィンセント・ジェームズ・マックガヒー ,  ロナルド・ロバート・ウッテヒト
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-300988
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213461
出願日： 1995年11月20日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【課題】 流動性酸化物を硬化させ、さらにアニールすることによって形成した、半導体デバイスを備える半導体基板上の表面内の相互接続配線レベルを被覆する絶縁体を提供する。【解決の手段】 水素シルセスキオキサンを含む流動性酸化物は、窒素中で硬化した後、酸素およびアルミニウムの存在下でアニールすると、前記酸化物層の誘電率が3.2未満になる。また、硬化させアニールした酸化物層を利用して、隣接するデバイス間の電気的絶縁を行う。この場合、アニールを行うのに、水素とともにアルミニウムを併用することもしないこともある。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスを含む半導体基板上の表面内の相互接続配線レベルを被覆する絶縁体において、前記相互接続配線レベルを被覆する第1の流動性酸化物層を備え、前記流動性酸化物を硬化させてアニールすること、および前記流動性酸化物を水素およびアルミニウムの存在下でアニールし、水素を前記流動性酸化物層内に拡散させて前記第1の流動性酸化物層の誘電率を3.2未満に減少させることを特徴とする絶縁体。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• Si-O含有皮膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-223289   出願人：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-164056   出願人：新日本製鐵株式会社