特許

J-GLOBAL ID：200903019586066011

有機基で修飾されたシリコン基板の製造方法

発明者： 山崎 祥子 ,  劉 揚
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構 ,  国立大学法人 奈良教育大学
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-024179
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210844
出願日： 2005年01月31日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】 種々の官能基の導入が容易なシリコン表面修飾方法を提供する。【解決手段】 表面に水素終端化されたシリコン層をもつシリコン基板を有機反応液に浸漬して攪拌する。その有機反応液は電子吸引性又は共役系置換基をもって不飽和結合部分が活性化されたアルキンを含む液であり、反応工程では有機反応液にエネルギー源としての光照射を行なわない。好ましくは、反応工程は有機反応液を加熱しないで室温にて行なう。【選択図】図14

請求項（抜粋）：

有機基で修飾されたシリコン基板を製造する方法において、 シリコン基板を有機反応液に浸漬して攪拌する反応工程を含み、 前記有機反応液に浸漬する際のシリコン基板は表面が水素終端化されたものであり、 前記有機反応液は電子吸引性又は共役系置換基をもって不飽和結合部分が活性化されたアルキンを含む液であり、 前記反応工程では前記有機反応液にエネルギー源としての光照射を行なわないことを特徴とする有機基修飾シリコン基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/312 ,  B05D 1/18

FI (2件)：

H01L21/312 A ,  B05D1/18

Fターム (11件)：

4D075AB02 ,  4D075CA47 ,  4D075DB11 ,  4D075EA07 ,  4D075EB24 ,  5F058AA10 ,  5F058AB04 ,  5F058AC10 ,  5F058AD09 ,  5F058AF04 ,  5F058AH01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 珪素半導体結晶及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-279954   出願人：信越半導体株式会社
• 官能性多孔性珪素表面
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-528377   出願人：パーデュー・リサーチ・ファウンデーション