特許
J-GLOBAL ID：200903083221200436
珪素半導体結晶及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-279954
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326775
出願日： 1997年09月25日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】 安定で且つ容易に除去できる保護膜が形成された珪素半導体結晶及びその製造方法を提供する。【解決手段】 珪素半導体結晶1の表面に有機保護膜4を直に付着させる。有機保護膜4の厚さは好ましくは0.1nm以上10nm以下、より好ましくは0.1nm以上1nm以下である。有機保護膜4は、有機保護膜材料を含む珪素酸化膜からなるか、フタル酸ジエチルあるいはフタル酸ジオクチルを含むフタル酸エステル等のフタル酸誘導体からなる膜である。有機保護膜4を有する珪素半導体結晶1の製造方法は、酸化膜8が形成された珪素半導体結晶1表面に有機保護膜4を付着させた後に、酸化膜4を除去して珪素半導体結晶1表面に有機保護膜4を直に付着させ、その後に有機保護膜4を除去し、その後に珪素半導体結晶1を処理する工程を行う。
請求項（抜粋）：
珪素半導体結晶表面に、有機保護膜を直に付着させてなる珪素半導体結晶。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/312 A
, H01L 21/02 B
