特許
J-GLOBAL ID：200903019601708742

磁気メモリ及びこの磁気メモリにおける半選択マージンを改善するための方法

発明者：
マノジュ・ケイ・バッタチャリーヤ

マノジュ・ケイ・バッタチャリーヤ について

, 
ジェイムス・エイ・ブラッグ

ジェイムス・エイ・ブラッグ について


出願人/特許権者：
ヒューレット・パッカード・カンパニー

ヒューレット・パッカード・カンパニー について


代理人 (1件)： 奥山 尚一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-220088
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044379
出願日： 2000年07月21日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 半選択マージンが改善された磁気メモリを提供する。【解決手段】 磁化容易軸を有するデータ記憶層(データ層62)を各々が含んでいる磁気メモリセル(40〜43)のアレイと、磁気メモリ(10,40)における半選択マージンHMを増大するように予め選択されている前記磁化容易軸に対する配向角度を各々が有している導体(20,21、30,31)のアレイとをそれぞれ具備する。
請求項（抜粋）：
磁化容易軸を有するデータ記憶層を各々が含んでいる磁気メモリセルのアレイと、磁気メモリにおける半選択マージンを増大するように予め選択されている前記磁化容易軸に対する配向角度を各々が有している導体のアレイと、をそれぞれ具備することを特徴とする磁気メモリ。
IPC (2件)：
H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (2件)：
H01L 27/10 447 ,  H01L 43/08 Z
引用特許：
審査官引用 (4件)
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