ナノチューブまたはナノワイヤの少なくとも1つの電気特性を変更するための方法およびそれを含むトランジスタ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：三枝英二 , 掛樋悠路 , 斎藤健治
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-571031
公開番号（公開出願番号）：特表2006-524172
出願日： 2003年04月22日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：

本発明は、カーボンナノチューブまたはナノワイヤの少なくとも電気特性を変更するための方法であって、該ナノチューブまたはナノワイヤを式(I)[式中、R1、R2およびR3は、(H、F、Cl、Br、I)を含む群において選択され、R1、R2およびR3の少なくとも1つはHとは異なる]を有する酸へ暴露することを包含する、方法に関する。該ナノチューブまたはナノワイヤの少なくとも一部は、電界効果トランジスタのチャネル領域であり得る。

請求項（抜粋）：

ナノチューブまたはナノワイヤの少なくとも電気特性を変更するための方法であって、該ナノチューブまたはナノワイヤを式:

IPC (3件)：

C01B 31/02 , B82B 3/00 , B82B 1/00

FI (3件)：

C01B31/02 101F , B82B3/00 , B82B1/00

Fターム (6件)：

4G146AA11 , 4G146AB06 , 4G146AC19B , 4G146AD28 , 4G146CB35 , 4G146CB37

引用特許：

審査官引用 (3件)

電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-223018 出願人：三菱化学株式会社
ナノセンサ
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-549958 出願人：プレジデント・アンド・フェローズ・オブ・ハーバード・カレッジ
カーボンナノチューブデバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-545835 出願人：ザボードオブトラスティーズオブザレランドスタンフォードジュニアユニバーシティー

引用文献：

審査官引用 (1件)

Carbon nanotube transistor optimization by chemical control of the nanotube-metal interface

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