特許
J-GLOBAL ID：200903074548216493

電界効果トランジスタ

発明者：
小橋 昌浩

小橋 昌浩 について

, 
北風 由美子

北風 由美子 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-223018
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063976
出願日： 2002年07月31日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】有機半導体を用いた電界効果トランジスタであって、より高い移動度と、高いon電流及び低いリーク電流と、高いon/off比とを有する電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】絶縁体層3と、この絶縁体層3により隔離されたゲート電極2及び有機半導体層4と、この有機半導体層4に接するように設けられたソース電極5及びドレイン電極6を、絶縁性支持基板上1に有する電界効果トランジスタ。絶縁体層は溶媒を用いた塗布法により形成された層であり、残留溶媒量が1重量%以下である。絶縁体層はモノマーを塗布した後重合させることにより形成された層であり、残留モノマー及び/又はオリゴマー量が3重量%以下である。又は絶縁体層中の吸着水分量が1重量%以下である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁体層と、該絶縁体層により隔離されたゲート電極及び有機半導体層と、該有機半導体層に接するように設けられたソース電極及びドレイン電極と、絶縁性支持基板とを有する電界効果トランジスタにおいて、 該絶縁体層は溶媒を用いた塗布法により形成された層であり、該絶縁体層中の残留溶媒量が1重量%以下であることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L29/786 ,  H01L21/47 ,  H01L21/471 ,  H01L51/00
FI (5件)：
H01L29/78 618B ,  H01L21/47 ,  H01L21/471 ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 617T
Fターム (49件)：
5F058AB06 ,  5F058AC01 ,  5F058AC02 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AF06 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE41 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF21 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF40 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN36
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM