特許
J-GLOBAL ID：200903019618161810

半導体装置とその製造方法

発明者：
牧田 直樹

牧田 直樹 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 奥田 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-003351
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197526
出願日： 2004年01月08日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：
【課題】結晶質半導体層に含まれる触媒元素を効率良くゲッタリングされた薄膜トランジスタを備えた装置を提供する。【解決手段】結晶質半導体層から形成されたチャネル形成領域13aと、ソース領域14aと、ドレイン領域15aとを含む半導体層11aと、チャネル形成領域13aの導電性を制御するゲート電極12aと、半導体層11aとゲート電極12aとの間に設けられたゲート絶縁膜と、ソース領域14aおよびドレイン領域15aにそれぞれ接続されたソース電極およびドレイン電極とを有する薄膜トランジスタを備えた装置であって、半導体層11aは、ソース領域14aおよびドレイン領域15a以外の領域にゲッタリング領域16aをさらに有し、ゲッタリング領域16aは、チャネル形成領域13aと接触している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
結晶質半導体層から形成されたチャネル形成領域と、ソース領域と、ドレイン領域とを含む半導体層と、 前記チャネル形成領域の導電性を制御するゲート電極と、 前記半導体層と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁膜と、 前記ソース領域およびドレイン領域にそれぞれ接続されたソース電極およびドレイン電極と を有する薄膜トランジスタを備えた装置であって、 前記半導体層は、前記ソース領域およびドレイン領域以外の領域にゲッタリング領域をさらに有し、前記ゲッタリング領域は、前記チャネル形成領域と接触している装置。
IPC (6件)：
H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786
FI (9件)：
H01L29/78 627Z ,  H01L21/20 ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 626B ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 618Z ,  H01L27/08 321B
Fターム (109件)：
5F048AA08 ,  5F048AB04 ,  5F048AB10 ,  5F048AC04 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BC06 ,  5F048BC16 ,  5F048BD04 ,  5F048BE09 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA12 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052HA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA15 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB10 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG51 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HM04 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP23 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-097478   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-094607   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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