特許
J-GLOBAL ID：200903048820725644
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-094607
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270363
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 低温プロセスの特徴を生かしたまま珪素を含む半導体膜中から触媒元素を除去するための技術を提供する。【解決手段】 ガラス基板201上に珪素を含む非晶質膜203を形成し、触媒元素を利用して結晶化する。そして、結晶性珪素膜に対して15族に属する不純物元素を選択的に導入し、ゲッタリング領域208、209および被ゲッタリング領域210を形成する。さらに、加熱処理によって珪素膜中の触媒元素をゲッタリング領域へと移動させる。このゲッタリング工程により触媒元素が十分に低減された結晶性珪素膜211を得ることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に珪素を含む非晶質半導体膜を形成する第1の工程と、前記非晶質半導体膜に対して該非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を導入する第2の工程と、加熱処理により前記非晶質半導体膜を結晶化させる第3の工程と、前記第3の工程で得られた珪素を含む半導体膜に対して15族に属する不純物元素を選択的に導入する第4の工程と、加熱処理により前記不純物元素を導入した領域に前記触媒元素をゲッタリングさせる第5の工程と、を少なくとも含み、前記第5の工程における加熱処理は前記基板の歪点を超えない温度範囲で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 29/78 618 G
, H01L 29/78 627 G
