特許
J-GLOBAL ID：200903019626429775

半導体装置の製造方法

発明者：
内藤 達也

内藤 達也 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-328353
公開番号（公開出願番号）：特開2006-140309
出願日： 2004年11月12日
公開日（公表日）： 2006年06月01日
要約：
【目的】高温長時間の分離拡散に伴ってシリコン基板に導入される高濃度の酸素に起因する結晶欠陥による耐圧特性への影響を低減できる半導体装置の製造方法の提供。【構成】第二導電型の分離拡散層2の形成工程、該分離拡散層2により囲まれる前記半導体基板1の第一主面9への不純物ドーピングによる半導体機能領域の形成工程、前記半導体基板1を所要の厚さに減厚するための第二主面側の研削工程、研削後の第二主面への第二導電型不純物ドーピング層8の形成工程をこの順に少なくとも含む半導体装置の製造方法において、前記半導体機能領域の形成工程における1000°C以上の熱処理を含むいずれかのプロセスの前に、第二主面に希ガス元素のイオン注入による結晶欠陥層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法とする【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第一導電形の半導体基板の第一主面と第二主面とを前記半導体基板とは異なる導電型の拡散層により接続するための第二導電型の分離拡散層の形成工程、該分離拡散層により囲まれる前記半導体基板の第一主面への半導体素子機能領域の形成工程、前記半導体基板を所要の厚さに減厚するための第二主面側の研削工程、該研削後の第二主面への第二導電型不純物ドーピング層の形成工程をこの順に少なくとも含む半導体装置の製造方法において、前記第二導電型分離拡散層の形成後、前記半導体素子機能領域の形成工程における1000°C以上の熱処理を含むいずれかの処理プロセスの前に、第二主面に希ガス元素のイオン注入による結晶欠陥含有層を形成する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/761
FI (9件)：
H01L29/78 658H ,  H01L21/322 G ,  H01L21/322 L ,  H01L29/06 301Z ,  H01L29/78 652R ,  H01L29/78 655A ,  H01L21/76 J ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658Z
Fターム (8件)：
5F032AB02 ,  5F032CA03 ,  5F032CA18 ,  5F032CA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA43 ,  5F032DA60 ,  5F032DA74
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (10件)
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