特許

J-GLOBAL ID：200903019635092830

積層型バリスタ

発明者： 中山 晃慶 ,  中村 和敬 ,  伴野 国三郎
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 下市 努
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-164854
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022209
出願日： 1993年07月02日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 静電気放電による破壊耐量の向上を図りながら、エネルギー障壁を確実に形成して安定した電圧非直線特性が得られる積層型バリスタを提供する。【構成】 半導体セラミックからなる焼結体1内に少なくとも一対の内部電極3を、電圧非直線特性を発現するセラミック層2を挟んで重なり合うように埋設するとともに、上記内部電極3間のセラミック層2に、該両内部電極3に接触する結晶粒子7を少なくとも1つ以上存在させて積層型バリスタ1を構成する場合に、上記焼結体4に含まれるBiの含有量をBi2 O3 に換算して0.5wt%以上とする。

請求項（抜粋）：

半導体セラミックからなる焼結体内に少なくとも一対の内部電極を、電圧非直線特性を発現するセラミック層を挟んで重なり合うように埋設し、上記内部電極間のセラミック層に、この両方の内部電極に接触する結晶粒子を少なくとも1つ以上存在させてなる積層型バリスタにおいて、上記焼結体に含まれるBiの含有量をBi2 O3 に換算して0.5wt%以上としたことを特徴とする積層型バリスタ。

IPC (2件)：

H01C 7/10 ,  C04B 35/453

引用特許：

審査官引用 (2件)

• チツプバリスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-183829   出願人：株式会社村田製作所
• 積層型バリスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-112085   出願人：株式会社村田製作所