パターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-177418
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026434
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】露光光が下地17で反射されるのを防止するための反射防止膜19を、下地17上に形成する。反射防止膜19上にホトレジスト膜21を形成する。リソグラフィによりレジスト膜からなるマスク21a を形成する。反射防止膜19の、マスク21a から露出する部分を、ドライエッチングする。反射防止膜19のドライエッチングを、マスク21a に対するエッチング選択比良く行なう。【解決手段】反射防止膜19をドライエッチングする際のエッチングガスを、CH2 F2 を含むガス、または、HBrを含むガスとする。

請求項（抜粋）：

後に行なわれるリソグラフィの際に露光光が下地で反射されるのを防止するための反射防止膜を、当該下地上に形成する工程と、該反射防止膜上にレジスト膜からなるマスクをリソグラフィにより形成する工程と、前記反射防止膜の前記マスクに覆われていない部分をドライエッチングする工程とを含むパターン形成方法において、前記ドライエッチングで用いるガスを、CH2 F2 を含むガスとすることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/302 H , H01L 21/30 574 , H01L 21/302 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-066927 出願人：ソニー株式会社
エッチング中の線幅制御を含む集積回路の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-325583 出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-038507 出願人：東京エレクトロン株式会社

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