特許

J-GLOBAL ID：200903019648036874

放射光アブレーションによる透明導電膜の作製方法

発明者： 三木 秀二郎 ,  中山 康之
出願人/特許権者： 学校法人立命館
代理人 (1件)： 渡辺 三彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-210811
公開番号（公開出願番号）：特開2001-040468
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月13日
要約：

【要約】【課題】 200°C以下の低温でも結晶性の透明導電膜を作製できる、放射光アブレーションによる透明導電膜の作製方法を提供する。【解決手段】 ターゲット基板2上に形成された透明導電膜1からなるターゲットに高真空下で放射光SRを照射し、この放射光SR照射によるアブレーションによって、ターゲットから所定間隔を開けてターゲット基板2と相対向して配置された基板3上に透明導電膜1を堆積させる。

請求項（抜粋）：

ターゲット基板上に形成された透明導電膜からなるターゲットに高真空下で放射光を照射し、この放射光照射によるアブレーションによって、前記ターゲットから所定間隔を開けて前記ターゲット基板と相対向して配置された基板上に透明導電膜を堆積させることを特徴とする放射光アブレーションによる透明導電膜の作製方法。

IPC (3件)：

C23C 14/28 ,  C23C 14/08 ,  H01B 13/00 503

FI (3件)：

C23C 14/28 ,  C23C 14/08 D ,  H01B 13/00 503 B

Fターム (9件)：

4K029AA09 ,  4K029BA10 ,  4K029BA15 ,  4K029BA45 ,  4K029BC09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-222058
  
• テフロン薄膜作製方法及び薄膜作製装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-217484   出願人：住友重機械工業株式会社
• 薄膜作成方法と薄膜作成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-166407   出願人：住友重機械工業株式会社