特許
J-GLOBAL ID：200903082121489050
電子発生装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-019998
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199398
出願日： 1997年01月16日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 従来のFEDでは不可能な低真空動作、安定大電流動作、低電圧動作が可能で、かつ個別動作可能なFEDを実現する。【解決手段】 硝基板1上にカソードであるグラファイト2が約1μm設けられている。さらにその上に電子放出層であるカーボンナノチューブ層3が数μm設けられている。このナノチューブは直径10から40nm、長さ0.5から数μmである。これらは断面図に対して垂直方向にライン状に形成されている。さらに、ライン状電子放出層(幅約30μm)の両側には、厚さ約7μmで幅約20μmのシリコン酸化膜からなる絶縁領域4がライン状に設けられている。その上に、配線電極5が電子放出部に対し垂直(断面図に対し平行に)に設けられてグリッド電極を形成している。グリッド5に正、カソード2に負の電圧を印加することによって、図中に示された矢印方向に電子6が放出される。
請求項（抜粋）：
基板上にライン状に導電性材料が形成されてなるカソード電極と、該カソードと直交するようにライン状に導電性材料が形成されてなるグリッド電極とを構成し、前記カソードとグリッド電極との間に絶縁体を有し、該カソードとグリッド電極が電気的に絶縁されており、かつ、該カソード上には炭素を含む材料が積層されており、該カソードとグリッド電極との間に電界を加えることで、前記カソード上の炭素を含む材料から電子を放出することを特徴とする電子発生装置。
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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