ポリ間複合体とその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-247455
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125040
出願日： 1994年10月13日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 EPROM、EEPROM及びフラッシュEPROMのような非揮発性メモリセルの浮遊ゲートを制御ゲートから絶縁する酸化物/窒化物/酸化物(ONO)層からなる誘電性絶縁用複合体を提供する。【構成】本誘電性絶縁用複合体は、浮遊ゲート18上に形成された二酸化シリコンの底層12と、この二酸化シリコンの底層上に形成された窒化シリコンの層14と、この窒化シリコンの層上に形成された二酸化シリコンの頂層16とを含み、最終的な複合体内の窒化シリコンの層は二酸化シリコンの底層及び頂層の何れよりも薄い厚みを有している。

請求項（抜粋）：

非揮発性メモリセル内の制御ゲートから浮遊ゲートを絶縁するための誘電性絶縁用複合体であって、上記浮遊ゲート上に形成されている二酸化シリコンの底層と、上記二酸化シリコンの底層の上に形成され、上記二酸化シリコンの底層よりも薄い厚みを有する窒化シリコンの層と、上記窒化シリコンの層の上に形成され、上記窒化シリコンの層よりも厚い厚みを有する二酸化シリコンの頂層とを備えていることを特徴とする誘電性絶縁用複合体。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (6件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-109776 出願人：株式会社東芝
特開平4-085882
不揮発性半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-247398 出願人：ソニー株式会社

全件表示

前のページに戻る