特許
J-GLOBAL ID：200903020870996450
フレ-ムフリ-湿式酸化
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-008156
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208506
出願日： 2000年01月17日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 フレームフリー湿式酸化を提供すること。【解決手段】 半導体表面の湿式酸化で用いるための水は、超純粋水素および超純粋酸素を火炎を生じることなく反応させることによって生成することができる。火炎を用いないので、“トーチ”の石英成分に影響を与える火炎による混入は問題ではない。水のフレームフリー生成は、水素および酸素を、発火させない条件下で反応させることによって行なう。これは、水素分子が貴ガスまたは窒素などの希釈剤と混合されている希薄水素流を与えることによって行なうことができる。この希薄水素の使用は、爆発の危険も減少させるしまたはなくする。これは、複雑なインターロック、火炎検出器等の必要性をなくすことにより、装置設計を簡単にすることができる。
請求項（抜粋）：
半導体表面上に酸素含有層を形成する方法であって、(a)気体水素および気体酸素を火炎を生じることなく反応させることによって水蒸気を形成させ;そして(b)該水蒸気を、半導体表面上に酸素含有層を形成する条件下で該半導体表面と接触させることを含む上記方法。
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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