特許
J-GLOBAL ID：200903019665827745
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-392489
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252236
出願日： 1997年04月22日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：
【要約】【課題】 封止樹脂とリードフレームとの密着性が良好で、信頼性、生産性の高い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、リードフレームのダイパッドと半導体素子とを、ゲルタイムが約10秒より短い樹脂層を介して対向配置する工程と、非酸化雰囲気中で、前記樹脂層を硬化させる工程とを有する。リードフレームのダイパッドは、CuまたはCu基合金からなる基材と、この基材上に形成された基材の酸化物からなる厚さ約50nm以下の酸化物薄膜とを有することができる。
請求項（抜粋）：
リードフレームのダイパッドと半導体素子とを、ゲルタイムが約10秒より短い樹脂層を介して対向配置する工程と、非酸化雰囲気中で、前記樹脂層を硬化させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/52 E
, H01L 21/52 C
5F047AA11
, 5F047AB01
, 5F047BA22
, 5F047BA23
, 5F047BA24
, 5F047FA61
