半導体集積回路

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-204175
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045582
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】センスアンプ出力から出力回路及び、入力回路から書き込み用バッファまでのデータ転送の遅延時間を短縮する。【解決手段】センスアンプと読み出し用バッファの間に読み出し用セレクタを導入し、読み出し用セレクタと読み出し用バッファ間にサブリードデータ線を設ける。また、書き込み用バッファとコモンデータ線の間に書き込み用セレクタを導入し、書き込み用バッファと書き込み用セレクタ間にサブライトデータ線を設ける。この結果、データバスが階層化され、データバスにつながる負荷容量が減り、センスアンプ出力から出力回路及び、入力回路から書き込み用バッファまでのデータ転送の遅延時間を短縮できる。

請求項（抜粋）：

アドレスデータをデコードするデコーダと、上記デコーダのデコードに基づいて、所定の複数のメモリセルに保持されているデータをビット線を介して出力し、また、入力データをビット線を介して所定のメモリセルに書き込むメモリセルを複数有してなるメモリセルアレーと、出力された所定の複数のビット線からのデータの信号を増幅するセンスアンプと、上記センスアンプの複数の出力から上記デコーダのデコードに基づいて、1つの出力を選択する読み出し用セレクタと、上記読み出し用セレクタの出力であるサブリードデータ線のデータをリードデータバスに伝える読み出し用バッファと、上記リードデータバスのデータを出力する出力回路と、入力データをライトデータバスに伝える入力回路と、上記ライトデータバスのデータをサブライトデータ線に伝える書き込みバッファと、上記サブライトデータ線のデータを上記デコーダのデコードに基づいて、ビット線に伝える書き込み用セレクタとを有することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

G11C 11/417 , G11C 11/41 , G11C 11/409

FI (3件)：

G11C 11/34 305 , G11C 11/34 V , G11C 11/34 354 R

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-200391
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-126250 出願人：三菱電機株式会社
特開平1-241093

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