半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-126250
公開番号（公開出願番号）：特開平7-334985
出願日： 1994年06月08日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】データ線アクセスの高速化が実現され、かつ遷移時間を短縮することができる階層データ線構造を有する半導体記憶装置を提供する。【構成】ビット線対BLa,BLbに接続するセグメントデータ線対は、読出用セグメントデータ線対SRBa,SRBbと、書込用セグメントデータ線対SWBa,SWBbとに分離される。また、セグメントデータ線対に接続されるグローバルデータ線対は、読出用グローバルデータ線対GWBa,GWBbと、書込用グローバルデータ線対GRBa,GRBbの各々に分離される。ビット線対BLa,BLbと読出用セグメントデータ線対SRBa,SRBbとの接続は、読出アンプRASを介して行なわれ、読出用セグメントデータ線対SRBa,SRBbと、読出用グローバルデータ線対GRBa,GRBbとは、読出アンプRAGを介して接続される。

請求項（抜粋）：

階層データ線構造を有する半導体記憶装置であって、複数のメモリセルとセンスアンプとが接続される第1のデータ線対と、前記第1のデータ線対に接続され、データの書込みに用いられる第2のデータ線対と、前記第1のデータ線対に第1の読出アンプを介して接続され、データの読出しに用いられる第3のデータ線対と、前記第2のデータ線対に接続され、外部からのデータを取込む第4のデータ線対と、前記第3のデータ線対に第2の読出アンプを介して接続され、外部へデータを取出す第5のデータ線対とを備えた、半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-017809 出願人：三菱電機株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-081175 出願人：シャープ株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-262382 出願人：日本電気株式会社

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