窒化物半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-301832
公開番号（公開出願番号）：特開2003-110140
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】本発明は、特にn電極を特定の構成とすることにより、窒化物半導体発光素子における光の取り出し効率をさらに向上させ、寿命の長い窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、n型窒化物半導体層の所定の位置にn電極を備える窒化物半導体発光素子である。特に、n電極は電気的に接続された第1の領域と第2の領域とから構成されており、n電極形成面側から見て、第1の領域の最背面は第2の領域の最背面と略同じ面に位置している。さらに、n電極の第2の領域は窒化物半導体発光素子からの光に対して、n電極の第1の領域よりも高い反射率を備えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

n型窒化物半導体層の所定の位置にn電極を備える窒化物半導体発光素子において、前記n電極は、電気的に接続された第1の領域と第2の領域とから構成されており、n電極形成面側から見て、前記第1の領域の最背面は前記第2の領域の最背面と略同じ面に位置し、かつ前記n電極の第2の領域は、前記窒化物半導体発光素子からの光に対して、前記n電極の第1の領域よりも高い反射率を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E

Fターム (10件)：

5F041AA03 , 5F041AA05 , 5F041AA43 , 5F041CA05 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA82 , 5F041CA91

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-341612 出願人：株式会社東芝
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-011227 出願人：ローム株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-077815 出願人：ローム株式会社

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審査官引用 (4件)

半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-341612 出願人：株式会社東芝
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-011227 出願人：ローム株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-077815 出願人：ローム株式会社

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