特許
J-GLOBAL ID：200903056950881845
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-011227
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209498
出願日： 1997年01月24日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 半導体層の電気抵抗が比較的大きいチッ化ガリウム系化合物半導体を用いた半導体発光素子においても、チップの面内での電流が均一になり、全体で均一に発光する半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板1と、該基板上に発光層を形成すべくチッ化ガリウム系化合物半導体が積層される半導体積層部10と、該半導体積層部の表面側の第1導電形の半導体層(p形層5)に接続して設けられる第1の電極(p側電極8)と、前記半導体積層部の一部がエッチングにより除去されて露出する第2導電形の半導体層(n形層3)に接続して設けられる第2の電極(n側電極9)とからなり、前記エッチングされずに残存する半導体積層部の第1導電形の半導体層および前記第2の電極の平面形状で対向する部分が等距離になるように前記半導体積層部のエッチング形状および第2の電極形状が形成されている。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に発光層を形成すべくチッ化ガリウム系化合物半導体が積層される半導体積層部と、該半導体積層部の表面側の第1導電形の半導体層に接続して設けられる第1の電極と、前記半導体積層部の一部がエッチングにより除去されて露出する第2導電形の半導体層に接続して設けられる第2の電極とからなり、前記エッチングにより除去されずに残存する半導体積層部の第1導電形の半導体層および前記第2の電極の平面形状で対向する部分が等距離になるように前記半導体積層部のエッチングおよび前記第2の電極の形成がなされてなる半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
