特許
J-GLOBAL ID：200903048560734970
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-077815
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275934
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：
【要約】【課題】 半導体層の電気抵抗が比較的大きいチッ化ガリウム系化合物半導体が用いられる半導体発光素子においても、チップの面内での電流が均一になり、全体で均一に発光する半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板1と、基板上に発光層を形成すべくGaN系化合物半導体が積層される半導体積層部10と、半導体積層部の表面側の第1導電形の半導体層(p形層5)に接続して設けられる第1の電極(p側電極8)と、前記半導体積層部の一部がエッチングにより除去されて露出する第2導電形の半導体層(n形層3)に接続して設けられる第2の電極(n側電極9)とからなり、第2の電極が、平面形状が四角形状の発光素子チップ13の1つの角部ある第1の角部13aに設けられ、かつ、第1の角部と対向する第2の角部13bから第2の角部に隣接する2辺に沿って前記第1の電極が設けられている。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に発光層を形成すべくチッ化ガリウム系化合物半導体が積層される半導体積層部と、該半導体積層部の表面側の第1導電形の半導体層に接続して設けられる第1の電極と、前記半導体積層部の一部がエッチングにより除去されて露出する第2導電形の半導体層に接続して設けられる第2の電極とからなり、前記第2の電極が、平面形状が四角形状の発光素子チップの1つの角部である第1の角部に設けられ、かつ、該第1の角部と対向する角部である第2の角部から該第2の角部に隣接する2辺に沿って前記第1の電極が設けられてなる半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (9件)
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