特許
J-GLOBAL ID：200903019732359840

半導体装置の製造方法

発明者：
松井 邦容

松井 邦容 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-089999
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286283
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】実装を行う接続用電極を形成する工程で、?@半導体チップ上に接続用電極を再配置配線するためのパターン形成、?A実装時にかかる応力を緩和するための応力緩和層の形成、?B接続用電極を形成する工程、を容易に行い低コストの接続用電極を形成する。【解決手段】?@絶縁膜を全面に形成した後電極パッド部を露出させ、?A実装のための再配置配線電極用金属層を全面に形成させ、?B再配置配線電極用金属層のうち、接続用電極取り出し部を除く再配置配線電極パターンとなる部分の上にのみ絶縁膜を形成し、?C接続用電極を形成するした後、?D再配置配線電極パターン以外の不要な再配置配線電極用金属層を除去する。この際?@と?Bの絶縁膜を同一材料で作成する。?Aを無電解または電解めっきによるNi・Au・Cuの組み合わせで形成する。
請求項（抜粋）：
半導体素子を形成した半導体装置の能動面に、該半導体装置を基板に実装するための接続用電極を形成する工程において、半導体装置の能動面上に絶縁膜を全面に形成した後、半導体装置上に形成されてある電極パッド部を露出させる第1の工程、その上の全面に実装のための再配置配線電極用金属層を形成し、さらにその上に絶縁膜を全面に形成する第2の工程、第2の工程で形成した絶縁膜のうち、再配置配線電極となる所定パターン上の一部でかつ接続用電極を形成するための取り出し部となる部分、及び再配置配線電極となる所定パターン以外の部分、を露出させる第3の工程、該接続用電極取り出し部に接続用電極を形成する第4の工程、第3の工程で形成した再配置配線電極となる所定パターン上の絶縁膜、および第4の工程で形成した接続用電極をマスクとして、再配置配線電極パターン以外の不要な再配置配線電極用金属層を除去する第5の工程、からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 ,  H01L 23/12
FI (3件)：
H01L 21/92 604 S ,  H01L 21/92 602 K ,  H01L 23/12 L
引用特許：
審査官引用 (4件)
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