発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-067264
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338468
出願日： 2003年03月12日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：

【要約】【課題】 III-V族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断することができる発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】基板1の表面3上にIII-V族化合物半導体からなるn型半導体層17a及びp型半導体層17bが積層されたウェハ2の基板1の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射することにより多光子吸収による改質領域7を形成し、この改質領域7によって、ウェハ2をチップ状に切断するための切断予定ライン5に沿って基板1のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、切断起点領域に沿ってウェハ2を切断する工程を備えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板の表面上にIII-V族化合物半導体からなる半導体層が積層されたウェハの前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域によって、前記ウェハをチップ状に切断するための切断予定ラインに沿って前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、前記切断起点領域に沿って前記ウェハを切断する工程を備える、発光素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/301 , B23K 26/00 320 , H01L 33/00 , H01S 3/00 , H01S 5/02 , B23K101:40

FI (6件)：

B23K 26/00 320 E , H01L 33/00 A , H01S 3/00 B , H01S 5/02 , B23K101:40 , H01L 21/78 B

Fターム (27件)：

4E068AE01 , 4E068DA10 , 5F041AA31 , 5F041AA41 , 5F041AA42 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA75 , 5F041CA77 , 5F072AB02 , 5F072JJ08 , 5F072JJ12 , 5F072JJ20 , 5F072PP07 , 5F072QQ20 , 5F072RR01 , 5F072YY06 , 5F073AA74 , 5F073CA02 , 5F073CA17 , 5F073CB05 , 5F073DA23 , 5F073DA25 , 5F073DA31 , 5F073DA34 , 5F073DA35 , 5F073EA29

引用特許：

出願人引用 (2件)

特許第2780618号公報
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-304615 出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (2件)

窒化物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-328665 出願人：日亜化学工業株式会社
特開平4-111800

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