特許

J-GLOBAL ID：200903019742072329

錫めっき材およびその製造方法

発明者： 斉藤 大未 ,  宮澤 寛
出願人/特許権者： DOWAホールディングス株式会社
代理人 (1件)： 大川 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-181819
公開番号（公開出願番号）：特開2007-002285
出願日： 2005年06月22日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：

【課題】インデント加工した場合でも、錫リフロー材などの他の種類の錫めっき材との間の摩擦係数が極めて低い錫めっき材およびその製造方法を提供する。【解決手段】炭素粒子および芳香族カルボニル化合物を添加した錫めっき液を使用して電気めっきを行うことにより、錫層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材上に形成する際に、錫めっき液中の炭素粒子の濃度を20g/L未満、好ましくは10g/L以下にすることにより、適度に凝集した炭素粒子が錫層中に適度に分散した複合材からなる皮膜を素材上に形成され、リフロー処理を施した錫めっき材との間の摩擦係数が0.16以下、算出平均粗さRaが0.1〜0.5μm、最大高さRyが8〜16μm、十点平均粗さRz7〜12μm、光沢度が0.8以上、皮膜の厚さが0.5〜3μm、皮膜中の炭素の含有量が0.1〜1.2重量%以下の錫めっき材を製造する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭素粒子および芳香族カルボニル化合物を添加した錫めっき液を使用して電気めっきを行うことにより、錫層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材上に形成する錫めっき材の製造方法において、錫めっき液中の炭素粒子の濃度を20g/L未満にすることを特徴とする、錫めっき材の製造方法。

IPC (4件)：

C25D 15/02 ,  C25D 3/32 ,  C25D 7/00 ,  H01R 13/03

FI (4件)：

C25D15/02 F ,  C25D3/32 ,  C25D7/00 H ,  H01R13/03 D

Fターム (16件)：

4K023AA17 ,  4K023BA29 ,  4K023CB03 ,  4K023CB04 ,  4K023CB21 ,  4K023DA11 ,  4K024AA07 ,  4K024AB01 ,  4K024AB12 ,  4K024BA09 ,  4K024BB10 ,  4K024CA02 ,  4K024DB02 ,  4K024GA02 ,  4K024GA03 ,  4K024GA16

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特開昭54-45634号公報(第3頁)
  
• 特開昭53-11131号公報(第2頁)
  
• 特開昭63-145819号公報(第2頁)
  
• 錫被覆電気コネクタ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-522901   出願人：オリンコーポレイション
• 特開昭61-227196号公報(第2頁)
  

審査官引用 (2件)

• 超微粒ダイヤモンド粒子を分散した金属薄膜層、該薄膜層を有する金属材料、及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-173372   出願人：藤村忠正
• 錫めっき材およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-086074   出願人：同和鉱業株式会社