球状半導体粒子の大量生産装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：西教圭一郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-101743
公開番号（公開出願番号）：特開2002-292265
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月08日
要約：

【要約】【課題】球状半導体粒子を、簡単な操作で、大量生産すること。【解決手段】 Si半導体を坩堝208に貯留し、誘導加熱の手法215,216によって、坩堝内の半導体を加熱して溶融し、この溶融半導体に、坩堝内の溶融半導体よりも上部の空間にAr、N2などのガス圧力を作用し、ノズル209から落下する。ノズルからの溶融半導体には、加振手段212の音波または超音波が照射され、これによって溶融半導体は気相中で、粒径の揃った球状粒子とされる。液体または固体の粒子には、レーザ源222からレーザ光223が照射され、これによって粒子にクラックを生じることなく、単結晶または多結晶にされる。さらにその粒子の表面に、不純物をドープして表面層を形成するために、拡散源の気相中を通過させる。

請求項（抜粋）：

半導体を、貯留する坩堝と、坩堝内の半導体を加熱して溶融する加熱手段と、坩堝内の溶融半導体を落下するノズルと、溶融半導体を振動して、ノズルから落下する溶融半導体を、気相中で、粒径が揃った球状粒子にする加振手段とを含むことを特徴とする球状半導体粒子の大量生産装置。

IPC (7件)：

B01J 2/04 , B01J 2/18 , C01B 33/02 , C30B 29/06 501 , H01L 31/042 , H01L 31/04 , H01L 21/208

FI (7件)：

B01J 2/04 , B01J 2/18 , C01B 33/02 E , C30B 29/06 501 Z , H01L 21/208 Z , H01L 31/04 R , H01L 31/04 X

Fターム (43件)：

4G004EA06 , 4G072AA01 , 4G072AA02 , 4G072BB07 , 4G072BB11 , 4G072BB12 , 4G072DD01 , 4G072DD02 , 4G072GG04 , 4G072HH01 , 4G072NN01 , 4G072NN03 , 4G072NN30 , 4G072TT30 , 4G072UU01 , 4G072UU02 , 4G077AA01 , 4G077BA04 , 4G077CD10 , 4G077EB10 , 4G077EG20 , 4G077EG29 , 4G077EJ05 , 4G077EJ06 , 4G077HA20 , 5F051DA04 , 5F051DA20 , 5F051EA01 , 5F051EA20 , 5F051GA04 , 5F051JA06 , 5F051JA08 , 5F051JA14 , 5F053AA50 , 5F053BB04 , 5F053BB58 , 5F053BB59 , 5F053BB60 , 5F053DD01 , 5F053GG01 , 5F053GG02 , 5F053LL05 , 5F053RR06

引用特許：

出願人引用 (6件)

球形単分散粒子の製造方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-317096 出願人：渡辺龍三, 川崎亮, 株式会社真壁技研
ほぼ等しい直径の金属小球を製造するための方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-315073 出願人：ドイチェフォルシュングスアンシュタルトフュアルフト-ウントラウムファールトエー.ファウ.
特開平3-162507

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審査官引用 (14件)

球形単分散粒子の製造方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-317096 出願人：渡辺龍三, 川崎亮, 株式会社真壁技研
ほぼ等しい直径の金属小球を製造するための方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-315073 出願人：ドイチェフォルシュングスアンシュタルトフュアルフト-ウントラウムファールトエー.ファウ.
特開平3-162507

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