特許

J-GLOBAL ID：200903019776488567

プラズマ処理装置及び方法

発明者： 松田 出 ,  奥村 智洋 ,  前川 幸弘
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-234325
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050612
出願日： 2000年08月02日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 量産性を向上させるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 電極周囲をセラミック状絶縁体部材で包囲し、基板が直接接触する面以外の表面が絶縁体で被覆され接地された導電性部材により、突き上げピン昇降空間と電極基板間への伝熱ガスの供給用ガス溜まり空間とが形成される。導電性部材は真空室内に積み上げられて組み立てられる。

請求項（抜粋）：

真空室と、真空室内を排気する排気装置と、上記真空室内に配置されかつ上記真空室内にプラズマを生成するための電極と、上記電極に基板を昇降可能に載置するための基板突き上げ機構と、上記電極と上記基板との間に伝熱ガスを供給し、上記基板の温度を制御する基板冷却機構を有して、上記真空室内にプラズマを生成させて上記基板を処理するプラズマ処理装置であって、上記突き上げ機構の上記基板を昇降させる突き上げピンの昇降空間と、上記伝熱ガスを上記電極と上記基板の間に複数の穴から供給するためのガス溜まり空間とを構成する部材が、上記真空室内より積み上げ方式によって組み立てられていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (8件)：

H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/509 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 ,  H05H 1/46

FI (8件)：

B01J 19/08 H ,  C23C 16/509 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 R ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 B

Fターム (55件)：

4G075AA24 ,  4G075BC02 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA47 ,  4G075FC13 ,  4K030FA03 ,  4K030JA10 ,  4K030KA26 ,  4K030KA41 ,  4K057DA19 ,  4K057DA20 ,  4K057DD01 ,  4K057DD03 ,  4K057DE14 ,  4K057DG02 ,  4K057DG07 ,  4K057DG08 ,  4K057DM02 ,  4K057DM18 ,  4K057DM28 ,  4K057DM35 ,  4K057DM38 ,  4K057DM39 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB25 ,  5F004BB29 ,  5F004BB32 ,  5F004BC08 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031HA19 ,  5F031HA33 ,  5F031HA37 ,  5F031HA38 ,  5F031HA39 ,  5F031HA40 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32 ,  5F031NA04 ,  5F031PA30 ,  5F045AA08 ,  5F045EM01 ,  5F045EM10 ,  5F103AA08 ,  5F103BB31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プラズマ処理方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-109813   出願人：日電アネルバ株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-050226   出願人：東京エレクトロン株式会社
• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-147672   出願人：株式会社日立製作所