特許
J-GLOBAL ID:200903019776988071
蒸着源並びにそれを用いた薄膜形成方法及び形成装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中西 次郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-154669
公開番号(公開出願番号):特開2002-348658
出願日: 2001年05月23日
公開日(公表日): 2002年12月04日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、薄膜形成時のみ蒸着材料を加熱する構成とし、かつ短時間で蒸発を開始できる蒸着源を提供することを目的とする。さらに、安定性及び生産性の高い薄膜形成方法及び装置を提供することを目的とする。【解決手段】 蒸着材料を収納する材料容器と材料容器内の蒸着材料を加熱する加熱機構からなる蒸着源において、該蒸着材料を加熱する輻射ヒータは、該材料容器の上方に配置し、該容器内の蒸着材料の表面に放射し、該輻射ヒータの輻射熱により直接加熱することを特徴とする。輻射ヒータの表面をセラミック系材料とするのが好ましい。また、該蒸着材料を加熱する輻射ヒータと前記材料容器は、どちらか一方が両者を近接又は離脱可能にする移動機構を備えており、薄膜形成時は該輻射ヒータと該材料容器を近接させ、薄膜形成後は離脱させることを特徴とする。
請求項(抜粋):
蒸着材料を収納する材料容器と材料容器内の蒸着材料を加熱する加熱機構からなる蒸着源において、該蒸着材料を加熱する輻射ヒータは、該材料容器の上方に配置し、該容器内の蒸着材料の表面に放射し、該輻射ヒータの輻射熱により直接加熱することを特徴とする蒸着源。
IPC (2件):
FI (2件):
C23C 14/24 B
, H01L 21/203 Z
Fターム (13件):
4K029BA62
, 4K029BD00
, 4K029BD01
, 4K029CA01
, 4K029DB06
, 4K029DB12
, 4K029DB14
, 4K029DB18
, 5F103AA01
, 5F103BB57
, 5F103DD30
, 5F103LL20
, 5F103RR01
引用特許:
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