特許

J-GLOBAL ID：200903019784256900

半導体装置の製造方法

発明者： 飯塚 勝彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-226768
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070129
出願日： 1996年08月28日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の耐湿性の悪化を極力抑止する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上のアルミ合金膜上に反射防止膜を形成した後、レジスト膜6をマスクにして前記反射防止膜を前記レジスト膜6より後退した状態にエッチングする。そして、前記レジスト膜6及び反射防止膜5Aをマスクにしてアルミ合金膜4A及びバリアメタル膜7Aを順次エッチングした後、全面に層間絶縁膜を形成することで、ボイドの発生を防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に金属膜を形成する工程と、レジスト膜を介して前記金属膜をパターニングする際にその金属膜の上部角部が前記レジスト膜より後退するようにエッチングする工程と、前記レジスト膜を除去した後に全面に層間絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/302 L

引用特許：

審査官引用 (4件)

• Al系金属配線構造およびそのパターニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-072364   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-110846
  
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-223394   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-110846