特許
J-GLOBAL ID：200903019785251049

薄膜の製造方法および光学装置

発明者：
安藤 謙二

安藤 謙二 について

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鈴木 康之

鈴木 康之 について

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大谷 実

大谷 実 について

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枇榔 竜二

枇榔 竜二 について

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金沢 秀宏

金沢 秀宏 について

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信宮 利昭

信宮 利昭 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-070555
公開番号（公開出願番号）：特開2002-047565
出願日： 2001年03月13日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 膜特性の向上した堆積膜を安価で高速に形成する。【解決手段】 ターゲット13は、真空排気される容器10内のターゲットホルダー12に配設され、複数のリング状の一体型永久磁石14がターゲット13の外面を取り囲んで略円筒形ターゲット13内壁のスパッタ面に平行に配置されている。基体70は、ターゲット13で囲まれた空間18の一方の開口部を塞ぐように設置されたアノード41に対向するように、空間18の他方の開口部側に配される。スパッタリングガスは、スパッタリングガス導入系30より放電空間18に導入され、反応ガスは反応ガス導入系31より放電空間18外から容器10内に導入される。電力供給手段80は、スパッタ電力として、直流電力または直流に極性が反転するパルスを重畳した電力を供給する
請求項（抜粋）：
薄膜の製造方法において、容器を用意する工程、スパッタされる面が放電空間を囲むようにターゲットを配する工程、該ターゲットで囲まれた該空間の一方の開口部を塞ぐように設置されたアノードに対向するように、該空間の他方の開口部側に基体を配する工程、該容器内に、スパッタリングガスと弗素含有ガスとを供給する工程、該ターゲットと該アノード間に直流電力または該直流電力に極性が反転するパルスを重畳した電力を供給する工程、を含み、該放電空間に放電を生ぜしめて該ターゲットをスパッタし、該基板上に弗素含有薄膜を形成することを特徴とする薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ,  C23C 14/06 ,  G02B 1/11
FI (5件)：
C23C 14/34 M ,  C23C 14/34 A ,  C23C 14/34 S ,  C23C 14/06 G ,  G02B 1/10 A
Fターム (27件)：
2K009AA04 ,  2K009BB02 ,  2K009CC06 ,  2K009CC14 ,  2K009DD04 ,  2K009DD09 ,  4K029AA02 ,  4K029AA04 ,  4K029AA06 ,  4K029AA07 ,  4K029AA08 ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029BA42 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DA00 ,  4K029DA05 ,  4K029DA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC13 ,  4K029DC20 ,  4K029DC33 ,  4K029DC34 ,  4K029DC40 ,  4K029EA05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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