特許
J-GLOBAL ID:200903019806168082
ステンシルマスク、その製造方法及び露光方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-186841
公開番号(公開出願番号):特開2003-007590
出願日: 2001年06月20日
公開日(公表日): 2003年01月10日
要約:
【要約】【課題】 薄膜化が容易で、応力制御を行うことが可能であるとともに、電子線照射特性の優れたステンシルマスクを提供すること。【解決手段】 基体と、この基体により支持されたマスク母体とを具備し、前記マスク母体は、荷電粒子線が透過する透過孔パターンを有する、炭素を主成分とする薄膜からなることを特徴とする。
請求項(抜粋):
基体と、この基体により支持されたマスク母体とを具備し、前記マスク母体は、荷電粒子線が透過する透過孔パターンを有し、炭素を主成分とする薄膜からなることを特徴とするステンシルマスク。
IPC (4件):
H01L 21/027
, C23C 16/04
, G03F 1/16
, G03F 7/20 521
FI (4件):
C23C 16/04
, G03F 1/16 B
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 541 S
Fターム (14件):
2H095BA08
, 2H095BC05
, 2H095BC08
, 4K030AA01
, 4K030AA10
, 4K030AA13
, 4K030BA28
, 4K030BB03
, 4K030CA04
, 4K030DA05
, 4K030FA01
, 4K030LA11
, 5F056AA22
, 5F056FA05
引用特許:
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