特許

J-GLOBAL ID：200903019812502245

スタティックランダムアクセスメモリ、その試験方法、及びその不良救済方法

発明者： 辻 誠
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-148873
公開番号（公開出願番号）：特開平11-339477
出願日： 1998年05月29日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 接合リーク電流やオフ時リーク電流によるデータ保持不良を室温で試験することができ、また、データ保持不良となったものを良品として救済できるとともに、更には、電源よりの供給電流が必要以上に大きくなっているものについては、その電流値を低減させて、消費電力の低減をも可能としたSRAMの提供。【解決手段】 高抵抗負荷型のスタティックランダムアクセスメモリに於いて、高抵抗負荷R7、R8に直列に接続された第1の抵抗R7’、R8’と、該第1の抵抗に並列接続された第1のスイッチング素子SW5、SW6とを設ける。更に、高抵抗負荷R7、R8に並列に接続された、第2の抵抗R7’’、R8’’と第2のスイッチング素子SW7、SW8との直列回路を設ける。

請求項（抜粋）：

高抵抗負荷型のスタティックランダムアクセスメモリに於いて、高抵抗負荷に直列に接続された第1の抵抗と、該第1の抵抗に並列接続された第1のスイッチング素子とを設けて成ることを特徴とするスタティックランダムアクセスメモリ。

IPC (4件)：

G11C 11/412 ,  G01R 31/28 ,  G11C 29/00 601 ,  G11C 29/00 671

FI (4件)：

G11C 11/40 301 ,  G11C 29/00 601 B ,  G11C 29/00 671 Z ,  G01R 31/28 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体記憶回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-252877   出願人：川崎製鉄株式会社
• 差動アンプ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-270882   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭61-230358