特許

J-GLOBAL ID：200903019882266263

半導体装置

発明者： 川西 英雄 ,  末松 安晴 ,  中路 基成
出願人/特許権者： 川西 英雄
代理人 (1件)： 田中 常雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-214801
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008182
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 青色乃至紫外線領域の発光素子を得る。【構成】 n-SiCを基板10として、n型クラッド層12、p型又はアンドープの活性層14及びクラッド層16を成長させる。各層12,14,16は、一般的にAl1-x-y-zBxGayInzNと表現される窒化物半導体の混晶からなる。x,y,z値はそれぞれ0以上、1以下である。基板10と格子整合し且つ目的の発光波長を得られるように、各層12,14,16のx,y,z値を調整する。

請求項（抜粋）：

基板上に所望の半導体材料を成長させてなる半導体装置であって、当該基板が、0.255nmから0.311nmまでに入る格子定数を具備する結晶からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-267376
  
• 特開平4-212478
  
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-087062   出願人：旭化成工業株式会社