半導体装置とその製造方法及びその製造装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197844
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017689
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、ゲート絶縁膜中への不純物混入の抑制と元素欠陥を除去することができ、ゲート絶縁膜の固定電荷フリーとリークの発生等を抑制できる半導体装置とその製造方法及びその製造装置を提供することにある。【解決手段】本発明は、シリコン単結晶基板上に、ゲート絶縁膜を有する半導体装置において、前記ゲート絶縁膜は金属酸化物の水酸化物からなることを特徴とする。又、本発明は、シリコン単結晶基板上に、ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造法において、前記ゲート絶縁膜を形成する際、前記シリコン単結晶基板表面をアルカリ性ガスによってアルカリ処理する工程と、金属化合物ガスによって成膜する成膜工程とを有し、その成膜室にアルカリ性ガスと、金属化合物ガスを供給する導入口を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板上に、ゲート絶縁膜を有する半導体装置において、前記ゲート絶縁膜は金属の酸化-水酸化物から変換された金属酸化物からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , C23C 16/40 , H01L 21/316

FI (3件)：

C23C 16/40 , H01L 21/316 X , H01L 29/78 301 G

Fターム (48件)：

4K030AA11 , 4K030BA10 , 4K030BA17 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030BA43 , 4K030BA46 , 4K030BA59 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030LA02 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BE10 , 5F058BF02 , 5F058BF24 , 5F058BJ01 , 5F140AA06 , 5F140AA24 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD04 , 5F140BD06 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE01 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BG38 , 5F140BH21 , 5F140BJ01 , 5F140BJ07 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK25 , 5F140BK30 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (2件)

二酸化ケイ素を含む膜の原子層化学蒸着
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-542604 出願人：エイエスエムマイクロケミストリオーワイ
誘電体界面被膜およびその方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-535166 出願人：エーエスエムインターナショナルエヌ.ヴェー.

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