特許
J-GLOBAL ID：200903039103039303

二酸化ケイ素を含む膜の原子層化学蒸着

発明者：
アロ,エヴァ

アロ,エヴァ について

, 
ハウッカ,スヴィ

ハウッカ,スヴィ について

, 
トゥオミネン,マルコ

トゥオミネン,マルコ について


出願人/特許権者：
エイエスエム マイクロケミストリ オーワイ

エイエスエム マイクロケミストリ オーワイ について


代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外10名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-542604
公開番号（公開出願番号）：特表2003-515674
出願日： 2000年12月04日
公開日（公表日）： 2003年05月07日
要約：
【要約】酸化ケイ素を含む薄膜を成長基板の上に原子層化学蒸着法によって生成させる方法。この方法では、気化可能なケイ素化合物をその成長基板に付着させ、そして付着したケイ素化合物を二酸化ケイ素に転換させる。本発明は、少なくとも1つの有機配位子を含むケイ素化合物を使うこと、および付着したケイ素化合物を気化した反応性酸素源、特にオゾンと接触させて二酸化ケイ素に転換させることを包含している。本発明は、十分短い反応時間でSiO2を含む薄膜を制御しながら成長させるための制御された方法を提供する。
請求項（抜粋）：
原子層化学蒸着法を使用することによって、基板に二酸化ケイ素を含む薄い膜を生成させる方法であって、 -気化可能なケイ素化合物を成長基板に付着させ、 -その付着したケイ素化合物を二酸化ケイ素に転換させる方法において、 -少なくとも1つの有機配位子を含むケイ素化合物を使用すること、および -酸素の気化した反応源と接触させることによって、その付着したケイ素化合物を二酸化ケイ素に転換させることの組合せを特徴とする方法。
IPC (2件)：
C23C 16/42 ,  H01L 21/316
FI (2件)：
C23C 16/42 ,  H01L 21/316 X
Fターム (21件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA02 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  5F058BA06 ,  5F058BC02 ,  5F058BF02 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ06
引用特許：
審査官引用 (8件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM