シリコン中の酸素の精密制御析出

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-056054
公開番号（公開出願番号）：特開平8-253392
出願日： 1996年03月13日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【課題】単結晶シリコン中の酸素析出核生成中心の密度を制御するための方法を提供する。【解決手段】単結晶シリコン中の酸素析出核生成中心の密度を制御するための方法であって、この方法は、単結晶シリコン中に酸素析出核生成中心を形成するために、単結晶シリコンを少なくとも約350°Cの温度でアニールし、このアニール工程の間に、単結晶シリコンを約350°C〜約500°Cの第一温度T1に加熱(または冷却)し、次に、この温度をT1から、約500°C〜約750°Cの第二温度T2に上昇させ、T1からT2への温度上昇の平均速度が1分間に約25°C未満であり、約1150°Cを越えない温度でのシリコンの熱処理によって酸素析出核生成中心が溶解可能になる時点でこのアニールが終了する、ことから成る方法である。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン中の酸素析出核生成中心の密度を制御する方法であって、この方法は、単結晶シリコンを、少なくとも約350°Cの温度でアニールすることを含み、このアニールは、(i)単結晶シリコンを約350°C〜約500°Cの温度T1で熱処理して単結晶シリコン中に酸素析出核生成中心を形成し、(ii)単結晶シリコンの温度をT1から、約500°C〜約750°Cの第二温度T2に上昇させ、(iii)T1からT2への温度上昇速度を、単結晶シリコンが、T2に達したときに、T1で形成された酸素析出核生成クラスターを含むように制御することを含んでなり、酸素析出核生成中心が、約1150°Cを越えない温度でシリコンを熱処理することによって溶解することができる時点でアニールを終了することを特徴とする方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 , C30B 33/02

FI (2件)：

C30B 29/06 B , C30B 33/02

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-124094
特開平4-175300
特開昭58-171826

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