特許

J-GLOBAL ID：200903019975728585

半導体ウェハの加工装置および加工方法

発明者： 狛 豊 ,  有田 潔 ,  土師 宏 ,  岩井 哲博
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ ,  松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-068231
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257248
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハの抗折強度を向上させて破損を防止し、加工歩留まりを向上させる半導体ウェハの加工装置および加工方法を提供すること。【解決手段】 半導体ウェハを目標厚さに薄化加工する半導体ウェハの加工において、半導体ウェハの回路形成面の反対側を研磨する研磨部6と、研磨後の半導体ウェハを洗浄するウェハ洗浄部10と、洗浄後の半導体ウェハをプラズマ処理によりドライエッチングするプラズマ処理部4A,4Bとを備え、研磨後の半導体ウェハをウェハ洗浄部10へ渡すウェハ搬出部9Bと、洗浄後の半導体ウェハをプラズマ処理部4A,4Bに渡すウェハ搬送部3とを設け、洗浄前・洗浄後の搬送を個別に行う。これにより、洗浄後の半導体ウェハへの異物付着を防止して良好な状態でドライエッチングを行うことができ、半導体ウェハの抗折強度を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

機械研磨によって半導体ウェハの表面を研磨し、次いで研磨された面をドライエッチングすることにより前記半導体ウェハを目標厚さに薄化加工する半導体ウェハの加工装置であって、前記半導体ウェハを機械研磨する研磨手段と、研磨後の半導体ウェハを洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウェハをドライエッチングするドライエッチング手段と、前記研磨手段から研磨後の半導体ウェハを取り出し前記洗浄手段に渡す洗浄前搬送手段と、洗浄手段から洗浄後の半導体ウェハを取り出しドライエッチング手段に渡す洗浄後搬送手段とを備えたことを特徴とする半導体ウェハの加工装置。

IPC (4件)：

H01L 21/68 ,  B65G 49/07 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 621

FI (5件)：

H01L 21/68 A ,  H01L 21/68 B ,  B65G 49/07 G ,  H01L 21/304 621 Z ,  H01L 21/302 N

Fターム (33件)：

5F004AA16 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB21 ,  5F004BB25 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F031CA02 ,  5F031DA17 ,  5F031FA01 ,  5F031FA07 ,  5F031FA11 ,  5F031FA12 ,  5F031FA20 ,  5F031GA08 ,  5F031GA24 ,  5F031GA45 ,  5F031GA47 ,  5F031GA49 ,  5F031HA13 ,  5F031HA34 ,  5F031HA38 ,  5F031HA59 ,  5F031HA60 ,  5F031KA03 ,  5F031MA04 ,  5F031MA22 ,  5F031MA23 ,  5F031MA32 ,  5F031NA05 ,  5F031PA25

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体ウェーハの研磨システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-086769   出願人：株式会社ディスコ
• 特開平3-024730
  
• 研削システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-166926   出願人：株式会社ディスコ
• 特開平3-024730