特許
J-GLOBAL ID：200903019982508523

半導体装置およびその製造方法ならびに電子機器

発明者：
松井 邦容

松井 邦容 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-026601
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217386
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：
【要約】【課題】 インターポーザ等を介することなく積層可能であり、積層した半導体チップをその大きさに関係なく電気的に接続できる半導体装置およびその製造方法ならびに電子機器を提供すること。【解決手段】 半導体チップ10a、10b、10c、10dに貫通孔12を形成する。そして、貫通孔12の内周面と開口部の近傍に銀およびスズの共晶合金による導電膜16を形成する。導電膜16は、半導体チップ10a、10b、10c、10dの電極パッド14a、14b、14c、14dと電気的に接続されているので、図示しない外部装置の端子等を導電膜16の端部18aまたは18bに接続するだけで、これらの半導体チップを電気的に接続することができる。
請求項（抜粋）：
半導体チップを複数個積層してなる半導体装置の製造方法において、複数個積層された前記半導体チップに貫通孔を形成する工程と、前記絶縁膜上に第1の金属の膜を形成する工程と、前記第1の金属の膜上に第2の金属の膜を形成する工程と、前記第1の金属と前記第2の金属との共晶合金を形成する工程と、を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/52
FI (2件)：
H01L 25/08 Z ,  H01L 23/52 C
引用特許：
審査官引用 (3件)

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