電極の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-001498
公開番号（公開出願番号）：特開2008-171884
出願日： 2007年01月09日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：

【課題】正電極に銀合金を用いる際のp型GaN層とのオーミック性改善【解決手段】III族窒化物系化合物半導体発光素子100は、サファイア基板10にAlNバッファ層を形成した後、n型GaN層11、n型AlGaNクラッド層12、GaN/InGaN多重量子井戸構造の発光層13、p型AlGaNクラッド層14、p型GaN層15をMOCVDで積層した。蒸着とリフトオフによりnコンタクト電極31を形成し、スパッタリングとリフトオフによりPdとCuを含む膜厚400nmの銀合金層から成るpコンタクト電極21を形成した。窒素ガス下で600°Cで1分間の加熱処理と、酸素ガスで炉内を置換して300°C、3分間の加熱処理の後、Tiと金から成るパッド電極22と32を形成したIII族窒化物系化合物半導体発光素子100の駆動電圧は3.1Vと良好であり、オーミック性の良いコンタクト電極21が形成された。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III族窒化物系化合物半導体に電極を形成する方法において、銀を主成分とする合金から成る電極層を、予め用意した銀を主成分とする合金ターゲットから移動させるスパッタリングにより形成する電極形成工程と、酸素を構成元素として含まない化学種のガス中で前記電極層を加熱処理する第1の加熱工程と、少なくとも酸素を構成元素として含む化学種を含むガス中で前記電極層を加熱処理する第2の加熱工程とを有し、前記第1の加熱工程は400°C以上800°C以下で行い、前記第2の加熱工程は200°C以上であって第1の加熱工程における温度よりも低い温度で行うことを特徴とする電極の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 , H01L 33/00 , H01L 21/285

FI (5件)：

H01L21/28 301R , H01L33/00 E , H01L33/00 C , H01L21/285 S , H01L21/28 301B

Fターム (21件)：

4M104AA04 , 4M104BB08 , 4M104BB13 , 4M104BB38 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104DD40 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104GG04 , 4M104HH01 , 4M104HH15 , 5F041AA25 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA86 , 5F041CA92 , 5F041CA98

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-222640 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-057875 出願人：日亜化学工業株式会社

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