特許
J-GLOBAL ID：200903050138831186

半導体発光素子

発明者：
山田 孝夫

山田 孝夫 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  堀川 かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-057875
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245232
出願日： 2005年03月02日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】窒化物半導体層上に高反射効率を有する銀主体電極が接触して形成される場合に、銀の窒化物半導体へのマイグレーションを有効に防止することにより、高信頼性、高品質の半導体発光素子を得ることを目的とする。【解決手段】第1及び第2半導体層を有し、前記第1及び第2半導体層にそれぞれ接続された第1及び第2電極を備え、前記第1及び第2電極は前記第1半導体層の同一面側に配置されて構成される半導体素子であって、前記第2電極は、銀又は銀合金含有第1金属膜6と、銀以外の金属含有第2金属膜7とを有し、該第2金属膜は、前記第1金属膜上でこれと接続され、第2導電型半導体層上の少なくとも一部の領域において絶縁膜を介して配置され、かつ該絶縁膜の第1金属膜側面側の膜厚よりも、第1金属膜端部から第2金属膜端部までの距離が長く、第1金属膜の外方に延設されてなる半導体素子。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体層と、第2導電型半導体層とを有し、 前記第1導電型半導体層に接続された第1電極と、前記第2導電型半導体層に接続された第2電極とを備え、 前記第1電極と第2電極とは前記第1導電型半導体層の同一面側に配置されて構成される半導体素子であって、 前記第2電極は、銀又は銀合金を含む第1金属膜と、銀とは異なる金属からなる第2金属膜とを有し、 該第2金属膜は、前記第1金属膜上で該第1金属膜と接続され、前記第1金属膜から露出された第2導電型半導体層上の少なくとも一部の領域において絶縁膜を介して配置されており、かつ該絶縁膜の第1金属膜側面側の膜厚よりも、第1金属膜端部から第2金属膜端部までの距離が長くなるように、第1金属膜の外方に延設されてなることを特徴とする半導体素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
Fターム (18件)：
5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA86 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA19 ,  5F041DA36 ,  5F041DA41 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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