特許
J-GLOBAL ID：200903039929268600
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-222640
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041403
出願日： 2004年07月29日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】 窒化物半導体発光素子におけるAgのマイグレーションを抑制し、光の取り出し効率及び発光効率を向上させた発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 活性層が、n導電型半導体層とp導電型半導体層とに挟まれた窒化物半導体発光素子であって、p導電型半導体層4に接続するAg層とその他の金属層からなるp電極5は、絶縁性保護膜6とpパッド電極7とによって周囲を囲まれた構造であり、pパッド電極7の上面面積は、p電極5の上面面積より小さいことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
活性層が、n導電型半導体層とp導電型半導体層とに挟まれた窒化物半導体発光素子であって、前記n導電型半導体層とp導電型半導体層の少なくとも一方の半導体層表面に、第一の領域と該第一の領域を囲む第二の領域を有し、前記第一の領域は前記半導体層に接するAg含有金属層を有し、さらに第一領域上に前記Ag含有金属層に接してパッド電極が形成されてなり、前記第二の領域は絶縁性保護膜を有し、前記絶縁保護膜は前記Ag含有金属層と前記パッド電極の側面に接していることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 E
, H01L33/00 C
5F041AA03
, 5F041AA43
, 5F041CA40
, 5F041CA86
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CB15
出願人引用 (1件)
審査官引用 (11件)
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