特許
J-GLOBAL ID:200903019992080092

化学的機械的研磨処理システム及び半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 竹村 壽
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-099038
公開番号(公開出願番号):特開2002-299294
出願日: 2001年03月30日
公開日(公表日): 2002年10月11日
要約:
【要約】【課題】 CMPを行う際に用いられる研磨布に新規な構造のものを採用することによって研磨速度の向上及びCMP用スラリの長寿命化、安全性の改善を図ることができるCMP処理システム及びこのシステムを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 CMPを行う際に用いられる研磨布113にCMP用スラリ106に含まれる酸化剤111の酸化力を促進させる触媒機能を有する成分(カタラーゼ)112を持たせる。研磨布113上に供給されたスラリ106は研磨布の触媒機能によって活性化され、スラリが活性化されることによって化学的作用が強まり研磨速度は飛躍的に向上する。
請求項(抜粋):
化学的機械的研磨用スラリを被処理基板に供給する手段と、前記被処理基板を前記化学的機械的研磨用スラリを供給しながら研磨布により化学的機械的研磨する手段とを具備し、前記研磨布は、前記化学的機械的研磨用スラリ中に含まれる酸化剤の酸化力を促進させる触媒作用を有する成分を含有していることを特徴とする化学的機械的研磨処理システム。
IPC (7件):
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 57/02 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205
FI (9件):
H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/304 622 E ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 C ,  B24B 57/02 ,  H01L 21/28 H ,  H01L 21/306 M ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 K
Fターム (50件):
3C047GG15 ,  3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  4M104AA01 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD06 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD75 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F033HH08 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033WW00 ,  5F033XX34 ,  5F043AA22 ,  5F043DD16 ,  5F043GG03
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 研磨方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-044316   出願人:株式会社東芝
  • 金属CMP用の触媒反応性パッド
    公報種別:公表公報   出願番号:特願2002-557571   出願人:キャボットマイクロエレクトロニクスコーポレイション

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