特許
J-GLOBAL ID:200903020027403480

圧電磁器の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三反崎 泰司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-102655
公開番号(公開出願番号):特開2003-300776
出願日: 2002年04月04日
公開日(公表日): 2003年10月21日
要約:
【要約】【課題】 ペロブスカイト型酸化物の第1元素と第2元素との組成比を調整し、特性を向上させることができる圧電磁器の製造方法を提供する。【解決手段】 ペロブスカイト型化合物M1m (Nb1-z Taz )O3 (M1は長周期型周期表1族の元素)を主成分として含有する圧電磁器を製造する。原料を混合し仮焼したのち、本焼成する。仮焼時のA/B比(第2元素に対する第1元素の組成比)を1よりも大きく1.02よりも小さくし、本焼成時のA/B比を1±0.001とする。これにより、異相を少なくし、圧電特性を向上させることができる。
請求項(抜粋):
第1元素と第2元素と酸素とからなるペロブスカイト型酸化物を含有する圧電磁器の製造方法であって、前記第1元素および前記第2元素を含む原料について、前記第2元素に対する前記第1元素の組成比を1よりも大きく1.02よりも小さく調整し、仮焼する工程と、この仮焼により得られた仮焼物に前記第2元素の原料を混合し、前記第2元素に対する前記第1元素の組成比を1±0.001の範囲内に調整したのち、本焼成する工程とを含むことを特徴とする圧電磁器の製造方法。
IPC (3件):
C04B 35/495 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24
FI (3件):
C04B 35/00 J ,  H01L 41/22 A ,  H01L 41/18 101 J
Fターム (15件):
4G030AA02 ,  4G030AA03 ,  4G030AA04 ,  4G030AA10 ,  4G030AA20 ,  4G030AA21 ,  4G030AA25 ,  4G030BA10 ,  4G030CA01 ,  4G030GA03 ,  4G030GA04 ,  4G030GA08 ,  4G030GA14 ,  4G030GA22 ,  4G030GA27
引用特許:
出願人引用 (5件)
  • 圧電体の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-160119   出願人:日本セメント株式会社
  • 圧電磁器組成物
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-245350   出願人:京セラ株式会社
  • 圧電磁器組成物
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-336708   出願人:京セラ株式会社
全件表示
審査官引用 (5件)
  • 圧電体の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-160119   出願人:日本セメント株式会社
  • 圧電磁器組成物
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-245350   出願人:京セラ株式会社
  • 圧電磁器組成物
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-336708   出願人:京セラ株式会社
全件表示

前のページに戻る