特許
J-GLOBAL ID：200903020028553850

p型半導体酸化亜鉛膜の製造方法、及び透明基板を使用したパルスレーザ堆積方法

発明者：
ビン リウ

ビン リウ について

, 
ツェンドン フ

ツェンドン フ について

, 
ヨン チェ

ヨン チェ について

, 
ユズル ウエハラ

ユズル ウエハラ について


出願人/特許権者：
イムラ アメリカ インコーポレイテッド

イムラ アメリカ インコーポレイテッド について


代理人 (3件)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和 ,  原 裕子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-024358
公開番号（公開出願番号）：特開2007-288141
出願日： 2007年02月02日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】p型の半導体酸化亜鉛(ZnO)膜と、この膜の製造方法を提供する。【解決手段】パルスレーザ堆積法(PLD)を使用してp型ZnO材料を成膜させる。この方法では、LiとPの両方を含有する化合物とZnOとの混合物からなる固体ターゲット上にパルスレーザビームを集光させる。集光されたレーザパルスの高いパワー密度により、ターゲット表面上の材料が融除されてプラズマが形成され、これが基板表面上に堆積する。また、パルスレーザ源を含んだ透明な基板と、パルスレーザの波長に対し透明である基板と、マルチターゲットシステムとを使用するパルスレーザ成膜プロセスについて説明する。パルスレーザの光路は、パルスレーザが基板の裏から入射して基板を通過し、ターゲット上に集光するように配置されている。基板をターゲットに向かって並進運動させ、アブレーションプルームのルートを利用した微細パターンの付着が可能になる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
リン及びアルカリ金属元素を含有するp型ZnO膜を製造する装置であって、 亜鉛、酸素、リン、前記アルカリ金属元素からなるターゲット材料と、基板とを収容する真空室と、 高温蒸気及び/又はプラズマを生成し、前記基板上に付着して膜を形成するために、前記ターゲット材料を蒸発又は融除する高エネルギー源と、 前記p型ZnO膜を製造するべく、前記膜を熱処理するための熱源とを備えることを特徴とする装置。
IPC (4件)：
H01L 21/363 ,  C23C 14/28 ,  H01S 3/00 ,  G02B 1/10
FI (4件)：
H01L21/363 ,  C23C14/28 ,  H01S3/00 A ,  G02B1/10 Z
Fターム (37件)：
2K009AA15 ,  2K009CC03 ,  2K009DD03 ,  2K009DD04 ,  2K009DD17 ,  4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA49 ,  4K029BC00 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029DB20 ,  5F103AA01 ,  5F103AA10 ,  5F103BB08 ,  5F103BB13 ,  5F103BB16 ,  5F103BB19 ,  5F103BB23 ,  5F103BB37 ,  5F103BB48 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103HH10 ,  5F103JJ01 ,  5F103KK05 ,  5F103KK10 ,  5F103NN01 ,  5F103NN02 ,  5F103NN05 ,  5F103PP03 ,  5F103PP18 ,  5F103PP20 ,  5F172AD05 ,  5F172ZZ20
引用特許：
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM