特許
J-GLOBAL ID：200903049347955595
p型ZnO半導体膜及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
目次 誠
, 宮▲崎▼主税
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-020022
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217038
出願日： 2004年01月28日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】 再現性良く製造することができるp型ZnO半導体膜及びその製造方法を得る。 【解決手段】 Zn及びOを主要な構成元素とするp型ZnO半導体膜であって、 アルカリ金属及び窒素が含有されていることを特徴としており、好ましくは、アルカリ金属が、厚み方向の両端部に近づくにつれて高くなるような濃度分布で含有されており、さらに好ましくはアルカリ金属が、1×1018〜5×1021cm-3の濃度範囲で含有されており、窒素が、2×1017〜5×1020cm-3の濃度範囲で含有されていることを特徴としている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
Zn及びOを主要な構成元素とするp型ZnO半導体膜であって、
アルカリ金属及び窒素が含有されていることを特徴とするp型ZnO半導体膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (20件)：
4K029AA07
, 4K029AA24
, 4K029BA49
, 4K029BD01
, 4K029CA01
, 4K029DB20
, 4K029EA08
, 4K029EA09
, 5F103AA10
, 5F103BB22
, 5F103BB23
, 5F103DD30
, 5F103HH04
, 5F103JJ01
, 5F103KK05
, 5F103KK10
, 5F103LL02
, 5F103NN01
, 5F103NN06
, 5F103RR05
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)
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