特許
J-GLOBAL ID：200903020038346667

光起電力装置

発明者：
丸山 英治

丸山 英治 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-013292
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228281
出願日： 2003年01月22日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
【課題】高開放電圧および高出力を得ることが可能な光起電力装置を提供する。【解決手段】この光起電力装置は、表面および裏面を有し、表面側から光が入射されるn型単結晶シリコン基板1と、n型単結晶シリコン基板1の表面上に形成され、実質的に真性なノンドープ非晶質シリコン層2と、ノンドープ非晶質シリコン層2上に形成されたp型非晶質シリコン層3と、p型非晶質シリコン層3上に形成された透明導電膜4と、n型単結晶シリコン基板1の裏面上の、少なくとも透明導電膜4が形成された領域に対応する領域に形成され、実質的に真性なノンドープ非晶質シリコン層6とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面および裏面を有し、前記表面側から光が入射される第1導電型の結晶系半導体基板と、 前記結晶系半導体基板の表面上に形成され、実質的に真性な第1非晶質半導体層と、 前記第1非晶質半導体層上に形成された第2導電型の第2非晶質半導体層と、 前記第2非晶質半導体層上に形成された第1透明導電膜と、 前記結晶系半導体基板の裏面上の、少なくとも前記第1透明導電膜が形成された領域に対応する領域に形成され、実質的に真性な第3非晶質半導体層とを備えた、光起電力装置。
IPC (2件)：
H01L31/04 ,  H01L21/205
FI (3件)：
H01L31/04 B ,  H01L21/205 ,  H01L31/04 M
Fターム (27件)：
5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045DB06 ,  5F045DC51 ,  5F045HA01 ,  5F045HA11 ,  5F051AA05 ,  5F051BA18 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA17 ,  5F051DA04 ,  5F051DA20 ,  5F051FA04 ,  5F051FA14 ,  5F051FA30 ,  5F051GA04
引用特許：
審査官引用 (2件)

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