特許
J-GLOBAL ID：200903022806230838

光起電力素子の製造方法

発明者：
中井 拓夫

中井 拓夫 について

, 
田口 幹朗

田口 幹朗 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-258961
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076397
出願日： 2000年08月29日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 結晶系半導体基板1の主面上に非晶質半導体膜2,3を設け、さらにその上に透明電極層4,5を設けた光起電力素子の製造方法において、基板端部1aにおける電流リークを防止し、有効面積の拡大を図る。【解決手段】 結晶系半導体基板1の側面1aをカバー部材10で覆った後、非晶質半導体膜2,3及び透明電極層4,5を形成することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
結晶系半導体基板の主面上に非晶質半導体膜を設け、さらにその上に透明電極層を設けた光起電力素子の製造方法において、前記結晶系半導体基板の側面をカバー部材で覆った後、前記非晶質半導体膜及び前記透明電極層を形成することを特徴とする光起電力素子の製造方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 B
Fターム (11件)：
5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051BA17 ,  5F051CA40 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051GA04 ,  5F051GA11 ,  5F051GA20
引用特許：
審査官引用 (7件)
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