特許

J-GLOBAL ID：200903020051539547

ジルコン酸チタン酸鉛を含むデバイスの作製プロセス

発明者： ホンガ ドゥ ,  ジョン エドウィン グリブナー ,  サングォ ジン ,  デビッド ウィルフレッド ジョンソン ジュニヤ ,  ウェイ ツー
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-228976
公開番号（公開出願番号）：特開2000-199049
出願日： 1999年08月13日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、ジルコン酸チタン酸鉛を含むデバイスの作製プロセスを提供する。【解決手段】 本発明により、ダイヤモンド基板あるいはシリコン又は白金被覆材料のような他の基板上の方向性あるペロブスカイトPZT層を含むデバイスが実現される。基板上のペロブスカイトテンプレート層上にPZT層を堆積させるために、気相堆積プロセスが用いられる。テンプレート層はPZTに比べ、より容易にペロブスカイト構造で堆積し、ペロブスカイト型でのPZTの核生成と成長を実現する。気相堆積は得られる薄膜の方向性ある構造を促進する。構造は表面音響波デバイスを含む各種デバイス中で有用である。

請求項（抜粋）：

基板の準備;基板上へのテンプレート層の堆積;気相堆積法によるテンプレート層上へのジルコン酸チタン酸鉛層の堆積を含み、ジルコン酸チタン酸鉛層は約50×10-12 ないし約350×10-12 m/Vの圧電係数を示す方向性のあるペロブスカイト層であるデバイスの作製プロセス。

IPC (4件)：

C23C 14/08 ,  C23C 16/40 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24

FI (5件)：

C23C 14/08 N ,  C23C 14/08 K ,  C23C 16/40 ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 緩衝層としてPb/Biを含有しないペロブスカイトを用いたPb/Biを含有する高比誘電率酸化物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-104552   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 配向性強誘電体薄膜素子およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-280168   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-007199   出願人：三星電子株式会社
• 特公平3-040000