半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-007199
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244435
出願日： 1994年01月26日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】強誘電体膜キャパシタを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】各セル単位で分離された複数の下部電極の側面に低誘電物質よりなる第1スペーサ45’が形成され、この第1スペーサ45’の形成された複数の下部電極上に強誘電体膜40が形成され、強誘電体膜40上に上部電極50が形成される。これにより、隣接する下部電極間にエラーが発生するのを防止することができる。

請求項（抜粋）：

各セル単位で分離された複数の下部電極と、前記各下部電極の側面に形成された低誘電物質よりなるスペーサと、前記低誘電物質スペーサの形成された複数の下部電極上に形成された強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された上部電極とを具備することを特徴とするキャパシタを有する半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/04 , H01L 27/108 , H01L 27/10 451

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 325 J

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平3-165557
特開平3-050728
特開平3-019372

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審査官引用 (6件)

特開平3-165557
特開平3-050728
特開平3-019372

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