特許
J-GLOBAL ID:200903020070825798
半導体記憶装置及び電子装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
平戸 哲夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-163461
公開番号(公開出願番号):特開2000-353382
出願日: 1999年06月10日
公開日(公表日): 2000年12月19日
要約:
【要約】【課題】DRAM等のように、データ保持にリフレッシュを必要とする半導体記憶装置と、コントローラとを搭載する電子装置であって、コントローラによる半導体記憶装置の制御を容易にする。【解決手段】DRAM1は、リフレッシュを自己管理し、リフレッシュ時期になると、BUSY1信号線4にビジー信号BUSY1を出力し、かつ、内部でリフレッシュアドレスを発生してリフレッシュを実行し、リフレッシュが終了したときは、ビジー信号BUSU1を解除するように構成し、コントローラ2は、DRAM1からBUSY1信号線4に出力されたビジー信号BUSY1を受信したときは、ビジー信号BUSY1が解除されるまで、DRAM1に対するアクセスを停止するように構成する。
請求項(抜粋):
データ保持にリフレッシュを必要とする半導体記憶装置であって、リフレッシュ期間中、外部にビジー信号を出力するように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3件):
G11C 11/406
, G06F 12/00 550
, G11C 11/407
FI (3件):
G11C 11/34 363 F
, G06F 12/00 550 B
, G11C 11/34 362 S
Fターム (8件):
5B024AA11
, 5B024BA29
, 5B024CA07
, 5B024CA15
, 5B024DA06
, 5B024DA18
, 5B060AB13
, 5B060CA10
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開昭63-247997
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特開平4-258878
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特開昭48-029330
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-250185
出願人:富士通株式会社
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半導体記憶装置及びその制御方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-370697
出願人:NECマイクロシステム株式会社
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