特許
J-GLOBAL ID：200903020088159191
化学増幅ポジ型レジスト材料
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-186167
公開番号（公開出願番号）：特開平9-015848
出願日： 1995年06月29日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】 微細加工技術に適した高解像度を有する化学増幅ポジ型レジスト材料を開発する。【構成】 酸発生剤として下記一般式(1)で示され、分子中のフェニル基の3位に少なくとも1つの酸不安定基を有するスルホニウム塩を配合する。【化1】(但し、式中R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基であり、OR2は酸不安定基であり、Yは置換又は非置換のアルキルスルホネート又はアリールスルホネートである。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、かつnとmの和は3である。)
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示され、分子中のフェニル基の3位に少なくとも1つの酸不安定基を有するスルホニウム塩を含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(但し、式中R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基であり、OR2は酸不安定基であり、Yは置換又は非置換のアルキルスルホネート又はアリールスルホネートである。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、かつnとmの和は3である。)
引用特許：
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